LCD（各種液晶屏）：背光源發(fā)光+液晶顯色，背光源現(xiàn)在都用LED燈

QD-LCD（量子點電視）：一般液晶電視LCD的屏幕是LED背光源發(fā)出藍光，通過熒光粉，形成紅綠藍三色最后合稱白光，然后打到液晶上，最后顯色。QD-LCD是用量子點代替熒光粉，這樣LED發(fā)出的藍光打到量子點膜上面后，會出來色域和亮度更好的紅、綠光，最后跟藍光一起打到液晶上顯色，最后QD-LCD顯示屏顯示效果更好。

Mini-LED（即將商用）：對現(xiàn)有的LCD顯示技術的背光提升技術，用更小的LED燈做背光源。所以可以更精細的控制畫面。現(xiàn)在側光式背光設計只需要數(shù)10顆高亮度LED，用miniLED需要數(shù)萬個小LED。

LED：通電后自發(fā)光和顯色，發(fā)光物質是GaAs（砷化鎵）、GaP（磷化鎵）、GaAsP（磷砷化鎵）等半導體。

MicroLED：MicroLED是非常微小的發(fā)光二極管，LED單元小于100微米。每個發(fā)光二極管都包含紅色，綠色和藍色子像素。MicroLED技術使用無機材料來達到發(fā)光效果。LED只能做成體育場商場外面的大屏幕，要是做成電視顯然精細度不行，MicroLED就是把LED做到足夠小，小到可以做成電視、手表等屏幕。
今年1月初，三星電子在2018消費電子產(chǎn)品展（CES）前夕推出了世界上首款146英寸的模塊化“The Wall”電視，該款電視采用MicroLED屏，據(jù)說8月份開賣。

OLED（商用）：通電后自發(fā)光和顯色，發(fā)光和顯色物質為有機分子聚合物。

QLED（概念期）：通電后自發(fā)光和顯色，發(fā)光物質是量子點，量子點是一種無機半導體納米晶體，通常由鋅、鎘、硒和硫原子組合而成。

1、LCD 液晶顯示器是Liquid Crystal Display 的簡稱，LCD 的構造是在兩片平行的玻璃當中放置液態(tài)的晶體，兩片玻璃中間有許多垂直和水平的細小電線，透過通電與否來控制桿狀水晶分子改變方向，將光線折射出來產(chǎn)生畫面。
LCD為液晶顯示屏，本身不發(fā)光，需要背光源。其由TFT基板與CF（彩膜）基板貼合而成，內(nèi)充液晶。通過TFT基板提供電場來控制液晶旋轉的角度，從而起到控制液晶穿透率的作用。彩膜上印刷有RGB三種顏色色塊，背光源的光線透過透明的TFT基板，透過液晶分子，然后透過CF基板。受各個色塊下液晶分子的穿透率不同的影響，色塊發(fā)出不同亮暗的紅綠藍三色，可混合成顯示所需的顏色。

2、LED是什么意思？

LED = Light Emitting Diode，發(fā)光二極管，是一種能夠將電能轉化為可見光的固態(tài)的半導體器件，它可以直接把電轉化為光
LED應用可分為兩大類：一是LED顯示屏；二是LED單管應用，包括背光源LED，紅外線LED等。LED顯示屏是由發(fā)光二極管排列組成的一顯示器件。它采用低電壓掃描驅動，具有：耗電少、使用壽命長、成本低、亮度高、故障少、視角大、可視距離遠等特點。 

3、OLED為有機發(fā)光二極管，屬于自發(fā)光器件，不需要背光源，它自身即發(fā)光又顯色，可替代LCD；構造為在TFT基板上蒸鍍在通電下可以自發(fā)光的RGB三色有機膜層。通過TFT基板控制電流大小，即可控制RGB有機膜層的發(fā)光亮暗，從而混合出顯示所需的顏色。

4、Mini-LED在平板顯示領域應指次毫米發(fā)光二極管(Mini LED)。Mini LED技術是把顯示屏側邊背光源幾十顆的LED燈珠，變成了直下背光源數(shù)千顆、數(shù)萬顆，甚至更多的燈珠。據(jù)測算，一臺55英寸電視的背光單元（BLU）需要約40000個mini LED，一臺智能手機面板約需要9000個。

Mini-LED技術只是一種對現(xiàn)有的LCD顯示技術的背光提升技術，它大幅可以提升顯示面板的色彩效果，以及對比度，但同時顯示面板成本也會隨之大幅提高。目前市面上還沒有mini-LED的量產(chǎn)產(chǎn)品，據(jù)網(wǎng)上消息，2018年可能會有量產(chǎn)產(chǎn)品推出。

5、量子點是一種無機半導體納米晶體，通常由鋅、鎘、硒和硫原子組合而成，其結構由內(nèi)到外分為核、殼、配體三層。當受到光或電的刺激時，量子點會發(fā)光，光的顏色由量子點的組成材料和大小形狀決定。在理想狀態(tài)下，通過控制量子點材料直徑的連續(xù)變化，可以得到接近自然光的連續(xù)光譜效果。

所謂QD-LCD，即是量子點薄膜應用于傳統(tǒng)液晶屏幕中，以量子點技術來取代藍光LED光學封裝材料中的黃色螢光粉，來增幅色域和亮度。藍光LED 背光源發(fā)出的光經(jīng)過量子點膜轉變成紅色和綠色，實現(xiàn)全彩顯示。QD-LCD技術是對LCD 顯示技術的一種改進，本質仍舊是背光源下的LCD顯示技術。3M和Nanosys聯(lián)合開發(fā)的量子點膜已經(jīng)應用于LCD顯示領域，并可以實現(xiàn)全彩顯示。
量子點膜最大的優(yōu)勢是可靠性高，可以兼容LCD 傳統(tǒng)的背光結構，只要用藍色的LED 替代掉LCD 中的白光源就可以完成顯示面板的改造。QD-LCD 技術最大的優(yōu)勢是可以充分利用TFT-LCD 的產(chǎn)線進行生產(chǎn)，可以降低生產(chǎn)的成本。

6、簡單來說，Micro-LED相當于戶外LED廣告牌的縮微版，即將一個個LED燈通過半導體技術集成到半導體芯片上，形成高密度微小尺寸的LED陣列，每一個MicroLED 就是一個像素，可單獨驅動點亮，像素點距離在微米量級。

由于Micro LED 是一種自發(fā)光技術，其優(yōu)點包括低功耗、高亮度、超高解析度與色彩飽和度、反應速度快、超省電、壽命較長、效率較高等，其功率消耗量約為LCD的10%、OLED的50%。而且從結構上講，Micro-LED比TFT-LCD，以及OLED要簡單很多。

在生產(chǎn)技術上，其Micro LED Display綜合TFT-LCD和LED兩大技術特點，在材料、制程、設備的發(fā)展較為成熟，但也有幾個關鍵生產(chǎn)步驟有待突破。

由于Micro-LED技術產(chǎn)品規(guī)格遠高于目前的TFT-LCD或OLED，目前以蘋果為代表的巨頭正在大力研發(fā)該技術及產(chǎn)品。

7、QLED：基于量子點和LED技術演進出來的技術

基于電致發(fā)光特性的量子點發(fā)光二極管顯示技術，利用量子點在電驅動下的自發(fā)光作為顯示基礎，將量子點材料本身作為二極管的發(fā)光材料，實現(xiàn)圖像顯示。其結構與OLED技術非常相似，主要區(qū)別在于QLED的發(fā)光中心由量子點物質構成。QLED技術具有對比強烈、節(jié)能、視角廣、色彩飽和度高等優(yōu)點，產(chǎn)品更加輕薄，是一種十分有發(fā)展前景的顯示技術。受限于相關材料和工藝研發(fā)，目前QLED仍處于實驗室研究階段。

OLED工藝基礎及未來的發(fā)展方向

ITO面板[Array制造工藝]→ITO面板(形成有機膜)→OLED模塊封裝測試→OLED成品因OLED構造簡單，所以生產(chǎn)流程不似TFT-LCD制造工藝復雜，生產(chǎn)過程為有機材料、ITO面板(Array制造工藝)、ITO面板(形成有機模)、 OLED模塊封裝測試。
在Array制造工藝上，ITO面板清潔程度為OLED品質的關鍵因素的一，至此面板的清洗方式也成為各家廠商的商業(yè)機密，而 OLED分子結構會影響成膜的完整性，若成膜不平整，將造成發(fā)光不均勻，適當?shù)挠袡C材料的選擇，理所當然成為廠商研究發(fā)展與未來競爭利基所在。

另外，在薄膜形成過程中化合物生成反應將產(chǎn)生副產(chǎn)品的雜質，會影響發(fā)光效率與產(chǎn)品壽命，因此制造工藝中適度的純化是必要的。再者OLED器件的材料易受水氣與氧氣的影響，而使得器件劣化影響使用壽命，因此鍍膜后的封裝過程中需隔除空氣中水分，封裝技術的成敗直接影響器件的成敗，封裝技術可說是在整個制造工藝中相當重 要的一環(huán)，目前尚未出現(xiàn)最佳的封裝方式，雖然OLED生產(chǎn)流程較為簡單，但在各個制造工藝階段仍然面臨不同的困難有待克服，因此OLED目前并無標準量產(chǎn) 技術，廠商在制造工藝上仍有頗大的發(fā)展空間。

OLED也有復雜的身世

說起OLED，我們不得不提起EL這個名詞，EL是指電激發(fā)光，是最常見的發(fā)光方式之一。OLED則是屬于“有機EL”，相對的還有“無機 EL”，像在日本就更習慣稱OLED為“有機EL”，從分類上講也沒有什么問題。有機EL也有不同的類型，最為常見的除了小分子的OLED以外，還有高分 子的PLED這一發(fā)光技術。

EL（Electro-Luminescence 電激發(fā)光）顯示器是指施加電流在可發(fā)光物質上以達到發(fā)光效果的顯示器， 其發(fā)光原理和發(fā)光二極體（LED）的發(fā)光原理相似。

其中，OLED（Organic Light Emitting Diode有機發(fā)光二極管）與PLED（Polymer Light Emitting Diode高分子發(fā)光二級管）有著相似的化學結構與發(fā)光效率，區(qū)別是兩者的分子量的差距，其中OLED是小分子材料，容易彩色化、采用蒸鍍法的全自動生產(chǎn) 方式已經(jīng)成熟，制程控制較容易且穩(wěn)定、材料的合成與純化、精制較為容易等。但缺點則是設備較為昂貴、對于水分的耐受性不佳、蒸鍍率低，以及容易造成材料的浪費等。

而PLED則是高分子材料，與OLED相比高分子的PLED采用了更簡單的印刷工藝，而不是蒸鍍多層有機膜材，同時也更為耐熱耐冷。不過由于PLED每個顏色的衰減常數(shù)不同，必須進行補償，因此較難朝向彩色化發(fā)展，因此我們很難能見到彩色的PLED屏幕。

一、氧化銦錫(ITO)基板前處理

1、ITO表面平整度：ITO目前已廣泛應用在商業(yè)化的顯示器面板制造，其具有高透射率、低電阻率及高功函數(shù)等優(yōu)點。一般而言，利用射頻濺鍍法(RF sputtering)所制造的ITO，易受工藝控制因素不良而導致表面不平整，進而產(chǎn)生表面的尖端物質或突起物。另外高溫鍛燒及再結晶的過程亦會產(chǎn)生表面約10 ~ 30nm的突起層。這些不平整層的細粒之間所形成的路徑會提供空穴直接射向陰極的機會，而這些錯綜復雜的路徑會使漏電流增加。一般有三個方法可以解決這表面層的影響?U一是增加空穴注入層及空穴傳輸層的厚度以降低漏電流，此方法多用于PLED及空穴層較厚的OLED(~200nm)。二是將ITO玻璃再處理，使表面光滑。三是使用其它鍍膜方法使表面平整度更好。 

2、ITO功函數(shù)的增加：當空穴由ITO注入HIL時，過大的位能差會產(chǎn)生蕭基能障，使得空穴不易注入，因此如何降低ITO / HIL接口的位能差則成為ITO前處理的重點。一般我們使用O2-Plasma方式增加ITO中氧原子的飽和度，以達到增加功函數(shù)之目的。ITO經(jīng)O2-Plasma處理后功函數(shù)可由原先之4.8eV提升至5.2eV，與HIL的功函數(shù)已非常接近。
加入輔助電極，由于OLED為電流驅動組件，當外部線路過長或過細時，于外部電路將會造成嚴重之電壓梯度，使真正落于OLED組件之電壓下降，導致面板發(fā)光強度減少。由于ITO電阻過大(10 ohm / square)，易造成不必要之外部功率消耗，增加一輔助電極以降低電壓梯度成了增加發(fā)光效率、減少驅動電壓的快捷方式。鉻(Cr：Chromium)金屬是最常被用作輔助電極的材料，它具有對環(huán)境因子穩(wěn)定性佳及對蝕刻液有較大的選擇性等優(yōu)點。然而它的電阻值在膜層為100nm時為2 ohm / square，在某些應用時仍屬過大，因此在相同厚度時擁有較低電阻值的鋁(Al：Aluminum)金屬(0.2 ohm / square)則成為輔助電極另一較佳選擇。但是，鋁金屬的高活性也使其有信賴性方面之問題因此，多疊層之輔助金屬則被提出，如：Cr / Al / Cr或Mo / Al / Mo，然而此類工藝增加復雜度及成本，故輔助電極材料的選擇成為OLED工藝中的重點之一。

二、陰極工藝

在高解析的OLED面板中，將細微的陰極與陰極之間隔離，一般所用的方法為蘑菇構型法(Mushroom structure approach)，此工藝類似印刷技術的負光阻顯影技術。在負光阻顯影過程中，許多工藝上的變異因子會影響陰極的品質及良率。例如，體電阻、介電常數(shù)、高分辨率、高Tg、低臨界維度(CD)的損失以及與ITO或其它有機層適當?shù)酿ぶ涌诘取?/span>

三、封裝

1、吸水材料：一般OLED的生命周期易受周圍水氣與氧氣所影響而降低。水氣來源主要分為兩種：一是經(jīng)由外在環(huán)境滲透進入組件內(nèi)，另一種是在OLED工藝中被每一層物質所吸收的水氣。為了減少水氣進入組件或排除由工藝中所吸附的水氣，一般最常使用的物質為吸水材(Desiccant)。Desiccant可以利用化學吸附或物理吸附的方式捕捉自由移動的水分子，以達到去除組件內(nèi)水氣的目的。

2、工藝及設備開發(fā)：封裝工藝之流程如圖四所示，為了將Desiccant置于蓋板及順利將蓋板與基板黏合，需在真空環(huán)境或將腔體充入不活潑氣體下進行，例如氮氣。值得注意的是，如何讓蓋板與基板這兩部分工藝銜接更有效率、減少封裝工藝成本以及減少封裝時間以達最佳量產(chǎn)速率，已儼然成為封裝工藝及設備技術發(fā)展的3大主要目標。

提升OLED生產(chǎn)效率的努力

使玻璃底板上的有機材料形成均勻薄膜層的工藝，是生產(chǎn)oled電視的關鍵要素。目前，真空熱蒸鍍（vte）是應用最為廣泛的一種技術。采用該技術的工藝流程必須在真空室中進行，要求緊鄰玻璃底板放置一塊遮光板，用以確定底板上沉積材料的圖樣。然而，真空熱蒸鍍技術在生產(chǎn)大屏幕oled電視方面存在一些缺陷。比如，遮光板極易受工藝流程中的高溫環(huán)境影響而發(fā)生偏移，導致很難在大尺寸底板上保持均勻的沉積率。

噴墨印刷技術可以通過液態(tài)有機材料的均勻沉積形成薄膜層。因此，這種技術在理論上能夠更好地解決大顯示屏的尺寸問題。愛普生采用了與噴墨打印機相同的按需噴墨工藝，可以精確地按所需量將有機材料沉積在適當位置。由于噴墨系統(tǒng)對材料的利用率非常高，所以制造商可以降低生產(chǎn)成本。此外，當應用于oled電視生產(chǎn)流程時，由于無需使用遮光板，其工藝步驟將少于真空熱蒸鍍技術，因此噴墨技術將有望大幅提高產(chǎn)量。

OLED顯示技術是集多領域、多學科的綜合性技術，涵蓋了半導體、有機化學、無機化學、薄膜電子、真空物理、光學等，涉及的關鍵技術主要有TFT技術、彩色化技術、有機成膜技術、器件封裝技術等，而每一種關鍵技術又有多種不同的技術路線之分，且每種技術路線各有優(yōu)劣，這既是OLED技術的難點所在，也是OLED技術的魅力所在，同時也是OLED業(yè)者談不完、論不清又很想議的熱點話題。

四大技術路線各異

AMOLED對TFT技術的要求比LCD要高，造成這種差異的原因在于AMOLED屬于電流驅動型器件。
TFT技術，從名稱來看，早已在LCD行業(yè)成熟應用了很多年，且已發(fā)展到10代線，但正如同樣是發(fā)動機，飛機發(fā)動機不等同于汽車發(fā)動機一樣，AMOLED對TFT技術的要求比LCD要高，二者并不完全相同。造成這種差異的本質原因在于AMOLED屬于電流驅動型器件，且要求TFT工作在線性放大狀態(tài)，而LCD屬于電壓驅動型器件，TFT只需工作在開關狀態(tài)。

因此，在LCD行業(yè)應用最為廣泛的a-SiTFT技術，雖然有均勻性好、工藝簡單、技術成熟、成本較低的優(yōu)點，但由于其載流子遷移率低，驅動OLED能力不足，且有閾值電壓漂移的問題，用于OLED存在器件性能穩(wěn)定性差的致命缺點，因而被業(yè)界一致認為不適用于AMOLED;LTPSTFT具有載流子遷移率高且閾值電壓穩(wěn)定的優(yōu)點，近年已成功用于中小尺寸LCD;IGZO是MOTFT（金屬氧化物TFT）中的一種，TFT特性介于a-Si和LTPS之間，LGD公司的55英寸AMOLED就是采用的IGZO;OTFT（有機TFT）是用于柔性顯示具有優(yōu)勢的TFT技術，用有機材料（如并五苯）代替硅作為半導體材料，但目前該技術還處于基礎研究階段。

OLED彩色化技術主要有RGB-SBS（RGB像素并置法，Side-By-Side）、W+CF（彩色濾光片法，也叫‘白光+濾色膜’法）及CCM（color conversion method，色轉換法）三種。

其中RGB-SBS是采用紅綠藍三基色有機發(fā)光材料并置于基板上，RGB像素獨立發(fā)光，這種方法是目前最成熟且量產(chǎn)應用最多的技術，發(fā)光效率高，但由于三色發(fā)光效率及壽命不同而存在色彩可能失真的問題;W+CF技術沿用了LCD全彩化的原理，使用彩色濾光片濾出三基色，但是利用了發(fā)白光的OLED發(fā)光，這種方法可以改善RGB-SBS的兩個問題，但由于彩色濾光片對光的衰減，開發(fā)高效率且穩(wěn)定的白光OLED是先決條件;CCM技術將發(fā)藍光的OLED通過改變顏色的介質（CCMs），形成紅光和綠光的像素，和藍光像素一起形成三基色，這種方法的優(yōu)點與彩色濾光片法相同，但效率很低，色純度也較差，目前尚無量產(chǎn)案例。

有機成膜技術是OLED特有的核心技術，由于OLED器件中有機薄膜的厚度非常薄，一般相當于頭發(fā)直徑的百分之一左右，電子注入層的厚度甚至不到20埃（1埃=0.1nm），而且子像素薄膜極其精細，長寬約數(shù)十微米，因此要非常均勻地制作多層如此薄且不能有針孔的精細有機薄膜，是行業(yè)面臨的共性技術難題之一。

有機成膜技術可分為真空蒸鍍、激光轉印和濕法制備三類，其中真空蒸鍍以FMM（Fine-Metal-MASK，精細金屬掩膜板）技術為主，是在真空環(huán)境下將有機材料放在坩鍋中加熱使之蒸發(fā)并在覆蓋有掩膜板（MASK）的玻璃基板上沉積成膜的技術，是目前最為成熟，也是目前量產(chǎn)的小尺寸AMOLED產(chǎn)品基本上都采用的有機成膜技術，但FMM技術存在MASK與玻璃基板的對位精度要求高、MASK因重力及熱膨脹容易變形、材料利用率低等問題;激光轉印技術則是為了解決FMM技術所存在的不足而發(fā)展起來的，但目前還存在熱損傷、工藝穩(wěn)定性和產(chǎn)率等主要問題，尚未量產(chǎn)使用，其中LITI（Laser Induced Thermal Image）技術為SMD所擁有、LIPS（Laser Induced Pattern wise Sublimation）技術為索尼所擁有，RIST（Radiation-induced sublimation transfer）技術為柯達所擁有，這些技術在原理上非常相似，都是預先將有機材料通過真空蒸鍍、旋涂或絲網(wǎng)涂敷等方式沉積在一種稱之為供體的薄膜上，然后將供體薄膜覆蓋在玻璃基板（稱之為受體）上并用激光束對供體的成像模板進行照射，結果供體上被激光照射部分的有機材料就被轉印到玻璃基板上，最后將使用過的供體剝離，這樣在玻璃基板上就得到了高分辨率的有機材料條紋。三者的不同之處在于所使用的供體材料不同及供體與受體是否緊密接觸。

濕法制備技術是最具誘惑力的有機成膜技術，具有適于大面積成膜、材料利用率高、生產(chǎn)成本低、生產(chǎn)效率高等優(yōu)勢，尤其R2R（卷對卷印刷）技術是未來生產(chǎn)柔性OLED最理想的技術，但包括噴嘴印刷（Nozzle Printing）和噴墨印刷（InkJet Printing）技術在內(nèi)，目前濕法制備技術在墨水材料、印刷設備及工藝控制等方面均有待改善，技術還不成熟。

器件封裝技術是OLED有別于其他顯示技術的又一關鍵技術。由于有機材料在有水汽和氧存在的條件下，都會發(fā)生不可逆的光氧化反應，水、氧對鋁或鎂銀等電極材料也有很強的侵蝕作用，因此OLED器件封裝對水、氧滲透率有非常高的要求。OLED器件傳統(tǒng)的封裝技術是‘UV+玻璃蓋板’方式，該技術首先在玻璃蓋板上粘貼用于吸收水汽的干燥劑，然后在每個顯示屏周邊涂敷UV粘合劑，最后將玻璃蓋板與沉積有機薄膜后的玻璃基板對位貼合并用紫外線固化UV膠，該技術雖然具有技術成熟、設備成本低等優(yōu)點，但也存在水氧易滲透、不適于頂部發(fā)光器件、柔性顯示器件、大尺寸器件等缺點;為了應用到頂部發(fā)光AMOLED并提高封裝氣密性，同時使OLED器件薄型化，近年來研發(fā)了薄膜封裝技術（Thin Film Encapsulation，TFE）、激光燒結玻璃粉封裝技術（Frit）及‘環(huán)氧樹脂+吸氣填充劑’（Dam-Filler）的新型封裝技術。

大尺寸、高性能是方向

特種顯示產(chǎn)品是OLED獨特的魅力，也是第三代顯示技術的特征，將人們的生活帶入神奇的科幻世界。

具體地說，OLED產(chǎn)品將向三個大方向發(fā)展：一是大眾化顯示產(chǎn)品，二是特種顯示產(chǎn)品，三是照明產(chǎn)品。大眾化顯示產(chǎn)品，也就是我們?nèi)粘Ｉ钪谐Ｒ姷娘@示屏類型，比如手機、平板電腦、電腦顯示器、電視機所用的傳統(tǒng)顯示屏，相對柔性顯示屏，也可以稱之為‘剛性顯示屏’。特種顯示產(chǎn)品，是OLED獨特的魅力，也是第三代顯示技術的特征，將人們的日常生活帶入神奇的科幻世界，發(fā)展方向有三個：一是柔性顯示屏，如紙張一樣輕薄、可卷曲折疊，OLED目前僅能做到曲面顯示;二是透明顯示屏、雙面顯示屏，其中透明顯示屏在觀看屏幕顯示圖像的同時可以透過屏幕觀察外部環(huán)境，雙面顯示屏可以同時在屏幕正反兩面顯示不同的圖像;三是利用OLED耐沖擊、抗震動的固體器件特點和-40～85℃工作溫度范圍的特點，開發(fā)用于航空、航天、軍用顯示屏產(chǎn)品。照明產(chǎn)品是OLED另一重大應用領域，由于具有面光源、高效、環(huán)保、安全的特點，尤其結合可以制作柔性面板的特點，OLED照明的前景將勝過LED照明，但OLED照明產(chǎn)品還需解決高效率、長壽命、低成本三個問題。

總之，從OLED各項關鍵技術目前還存在的種種不足，我們可以看到OLED的技術發(fā)展趨勢就是要解決目前產(chǎn)業(yè)化所面臨的技術問題和突破與產(chǎn)品發(fā)展相適應的技術瓶頸，歸納起來，有以下幾方面：一是改善生產(chǎn)工藝，提高制程良率，降低成本;二是突破低溫多晶硅、金屬氧化物等TFT技術及有機成膜技術的現(xiàn)有瓶頸，實現(xiàn)高解析度和大尺寸顯示屏的產(chǎn)業(yè)化;三是結合新型高效有機材料，改進器件結構，提高發(fā)光效率，降低功耗;四是改進封裝技術，改善器件的壽命和穩(wěn)定性;五是研究柔性顯示技術及OLED照明技術，實現(xiàn)終極產(chǎn)品及其應用。

在中小尺寸領域，重點研究LTPS TFT、真空蒸鍍FMM或激光轉印有機成膜技術和Frit封裝技術;在大尺寸領域重點研究金屬氧化物TFT（IGZO）和‘白光+濾色膜’技術;在柔性顯示領域，比較理想的是突破有機TFT、卷對卷印刷成膜技術和薄膜封裝技術。